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형상반전공정의 패턴형성시 선폭감소를 이용한 0.25um T-gate MESFET의 제작 = 0.25um T-gate MESFET fabrication by using the size reduction of pattern in image reversal process
표제/저자사항 형상반전공정의 패턴형성시 선폭감소를 이용한 0.25um T-gate MESFET의 제작 = 0.25um T-gate MESFET fabrication by using the size reduction of pattern in image reversal process / 楊典旭, 金鳳烈, 朴喆淳, 朴亨茂
형태사항 p. 185-192: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 32卷 1號(1995년 1월), p. 185-192 32:1<185 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 양전욱, 정회원, 한국 전자 통신 연구소
저자: 김봉열, 정회원, 연세대학교 전자공학과
저자: 박철순, 정회원, 한국 전자 통신 연구소
저자: 박형무, 정회원, 한국 전자 통신 연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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