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ISFET이온感知機構의 site binding模型과 그 simulation = (The)site blinding model of ion sensing mechanism for the ISFET and its simulation
표제/저자사항 ISFET이온感知機構의 site binding模型과 그 simulation = (The)site blinding model of ion sensing mechanism for the ISFET and its simulation / 徐華一李鐘玄孫炳基
형태사항 p. 63-70: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子技術硏究誌. 慶北大學校 出版部. 9권(1988년), p. 63-70 9<63 상세보기 ISSN 1225-214X
저자: 서화일, 경북대학교 공과대학 전자공학과
저자: 이종현, 경북대학교 공과대학 전자공학과
저자: 손병기, 경북대학교 공과대학 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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