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게이트 제어형 실리콘 PN다이오드의 항복특성에 관한 연구 = (A)study on the breakdown characteristics of gate controlled silicon p-n diodes
표제/저자사항 게이트 제어형 실리콘 PN다이오드의 항복특성에 관한 연구 = (A)study on the breakdown characteristics of gate controlled silicon p-n diodes / 張志根
형태사항 p. 191-203: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 論文集-단국대학교.自然科學.醫.體能篇. 檀國大學校 出版部. 20집(1986년 12월), p. 191-203 20<191 상세보기
저자: 장지근, 단국대학교 이공대 반도체공학
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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