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다공질 실리콘 산화법을 이용한 SOI 소자의 제조 = Fabrication of SOI devices by porous silicon oxidation
표제/저자사항 다공질 실리콘 산화법을 이용한 SOI 소자의 제조 = Fabrication of SOI devices by porous silicon oxidation / 李鍾玄, 曺贊燮, 梁天淳
형태사항 p. 181-188; 26 cm
주기사항 수록자료: 論文集-경북대학교. 자연과학. 경북대학교. 51집(1991년), p. 181-188 51<181 상세보기
저자: 이종현, 공과대학 전자공학과 부교수
저자: 조찬섭, 공과대학 전자공학과
저자: 양천순, 공과대학 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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