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통계적 실험계획에 의한 PECVD로 증착된 실리콘 산화막의 특성 분석 = Characteristic of silicon dioxide films deposited by PECVD using statistical design of experiment (DOE)
표제/저자사항 통계적 실험계획에 의한 PECVD로 증착된 실리콘 산화막의 특성 분석 = Characteristic of silicon dioxide films deposited by PECVD using statistical design of experiment (DOE) / 李晟準, 金洸範, 崔鑛泉, 漢秀一, 尹知原, 金劉邏, 朴宰賢, 洪尙眞
형태사항 p. 86-90 ; 27 cm
주기사항 수록자료: 産業技術硏究所論文集. 명지대학교 산업기술연구소. 25집(2006), p. 86-90 25<86 상세보기
저자: 이성준, 석사, 명지대 공대 전자공학과 석사과정
저자: 김광범, 학사, 명지대 공대 전자공학과 학사과정
저자: 최광천, 학사, 명지대 공대 전자공학과 학사과정
저자: 한수일, 학사, 명지대 공대 전자공학과 학사과정
저자: 윤지원, 학사, 명지대 공대 전자공학과 학사과정
저자: 김유나, 학사, 명지대 공대 전자공학과 학사과정
저자: 박재현, 교수, 명지대 공대 전자공학과 교수
저자: 홍상진, 교수, 명지대 공대 전자공학과 교수
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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