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반응성 스퍼터링법으로 증착된 Co$$N_X$$ 중간층을 이용한 (100)Si 기판 위에서의 에피택셜 CoSi₂ 성장 연구 = Epitaxial growth of CoSi₂ layer on (100)Si substrate using Co$$N_X$$ interlayer deposited by reactive sputtering
표제/저자사항 반응성 스퍼터링법으로 증착된 Co$$N_X$$ 중간층을 이용한 (100)Si 기판 위에서의 에피택셜 CoSi₂ 성장 연구 = Epitaxial growth of CoSi₂ layer on (100)Si substrate using Co$$N_X$$ interlayer deposited by reactive sputtering / 이승렬, 김선일, 안병태
형태사항 p. 30-36 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 16권 1호(2006년 1월), p. 30-36 16:1<30 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 이승렬, 한국과학기술원 신소재공학과
저자: 김선일, 한국과학기술원 신소재공학과
저자: 안병태, 한국과학기술원 신소재공학과 E-MAIL: btahn@kaist.ac.kr
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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