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선택적Si 확산을 이용한 저저항층을 갖는 이온주입 GaAs MESFET = Fabrication of ion implanted GaAs MESFET with Si selectively diffused low resistive layer
표제/저자사항 선택적Si 확산을 이용한 저저항층을 갖는 이온주입 GaAs MESFET = Fabrication of ion implanted GaAs MESFET with Si selectively diffused low resistive layer / 楊典旭
형태사항 p. 41-47 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제36권 3호(1999년 2월), p. 41-47 36:3<41 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 양전욱, 정회원, 전북대학교 반도체물성연구소/반도체과학 기술학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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