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a-Si:H/a-SiN:H 계면에서 각각 phosphorus로 도핑된 층이 TFT 이동도에 미치는 영향: .
표제/저자사항 a-Si:H/a-SiN:H 계면에서 각각 phosphorus로 도핑된 층이 TFT 이동도에 미치는 영향: . / 지정환 이상권 김병주 문영순 [1974-] 최시영 [1949-]
발행사항 서울 : 한국진공학회, 2011
형태사항 PDF1 p.
주기사항 수록자료: 한국진공학회 학술발표회초록집 제40회 (20110209), p. 254-254
표준번호/부호 UCI  G701:C-00056472691
분류기호 한국십진분류법-> 554.9205
출처 국립중앙도서관 바로가기
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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