01010na  a2200241   4500001001300000005001500013008004100028024002700069035001800096035002700114100003400141370004800175372005300223373007800276373004900354373005800403374004800461375001100509377001400520400002400534670005400558670015600612KAC20170146620190920154040170111 b aznnnaabn          fa aaa      7 a00000004600017262isni  a(KRI)10157488  a(KISTI)ADPER00001223111 a구상모,g具湘謨,d1973-  c한국(국명)[韓國]0KSH20000101452nlsh  a전자 공학[電子工學]0KSH19980184202nlsh  a광운대학교 전자정보대학 전자재료공학과 (교수)s201409  a전기공학회 (본부편집위원)s200901  a한국전기전자재료학회 (편집위원)s200801  a교수(대학)[敎授]0KSH19980114932nlsh  a남성  l한국어1 aKoo, Sangmo,d1973-  a한국연구자정보(KRI)uhttps://www.kri.go.kr  a금속 (Pt)과 4H-SiC의 계면상태에 따른 실리콘 카바이드 기반 고온 가스센서 특성 분석, (한국전기전자재료학회), 2011