00845na  a2200205   4500001001300000005001500013008004100028024002700069035002700096100002600123370004800149372004600197372005300243373004800296374005700344375001100401377001400412670014300426670007000569KAC2018D302520181024145401180904 b aznnnaabn          fa aaa      7 a00000004724861182isni  a(KISTI)ADPER00001797781 a이철욱,g李哲旭  c한국(국명)[韓國]0KSH20000101452nlsh  a물리학[物理學]0KSH19980143642nlsh  a정보 통신[情報通信]0KSH19980287302nlsh  a한국전자통신연구원 광소자그룹  a연구원(연구자)[硏究員]0KSH19980377142nlsh  a남성  l한국어  aAlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT 구조의 특성 및 ECR 플라즈마에 의한 게이트 리세스 식각 공정 연구, (嶺南大學校), 1998  a한국과학기술정보연구원(KISTI)uhttps://www.kisti.re.kr