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001  KSH1998009367
005  20000614110555
008  980429 n azknn|abn          |a a|a    | 
150  ▼a반도체 다이오드[半導體--]▲
450  ▼wr▼i영어▼asemiconductor diode▲
550  ▼wg▼a다이오드[diode]▲
550  ▼wg▼a반도체 장치[半導體裝置]▲
550  ▼wh▼a건 다이오드[Gunn diode]▲
550  ▼wh▼a게르마늄 다이오드[germanium diode]▲
550  ▼wh▼a광 다이오드[光--]▲
550  ▼wh▼a베랙터 다이오드[varactor diode]▲
550  ▼wh▼a애벌랜시 다이오드[avalanche diode]▲
550  ▼wh▼a에사키 다이오드[Esaki diode]▲
550  ▼wh▼a접합 다이오드[接合--]▲
550  ▼wh▼a크리스탈 믹서[crystal mixer]▲
550  ▼a메사 디바이스▲
550  ▼a애벌란시 강하[--降下]▲
550  ▼a열전자 다이오드[熱電子--]▲
550  ▼a평면 디바이스[平面--]▲
680  ▼i반도체의 정류 작용을 이용하여 2극 진공관과 같은 동작을 하도록 만들어진 소자. 2극 진공관에 비해 필라멘트 전력이 불필요하며, 강하고 소형으로 제조할 수 있다. 제조법에 따라 점접촉형과 접합형으로 나뉜다.▲