00000nz  a2200000n  4500
001  KSH2004031002
005  20040820110332
008  040820 n azknn|abn          |a a|a    | 
150  ▼aF램[FRAM]▲
450  ▼aFRAM▲
450  ▼aFe RAM▲
450  ▼aFe램▲
450  ▼a강유전성 램[强誘電性--]▲
450  ▼a강유전체 메모리 반도체[强誘電體--半導體]▲
450  ▼a강유전체 메모리[强誘電體--]▲
450  ▼a에프램[FRAM]▲
450  ▼wr▼i영어▼aferroelectric RAM▲
450  ▼wr▼i영어▼aferroelectric memory▲
550  ▼wg▼a램(기억장치)[RAM]▲
550  ▼aFLCD▲
550  ▼a강유전체 저장 장치[强誘電體貯臧裝置]▲
550  ▼a강유전체[强誘電體]▲
680  ▼i강유전체(Ferro electric)라는 소재를 사용, 전원 없이도 데이터를 유지할 수 있는 불휘발성 메모리다. 따라서 D램과 동일한 구조와 동작원리를 갖고 있으면서도 플래시 메모리에 비해 긴 동작수명을 지니고 있어 이들을 대체할 차세대 메모리로 각광받고 있다. D램과 같은 집적도와 S램과 같은 고속 동작, 플래시메모리와 같이 비휘발성의 특성을 가지는 통합 메모리. 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터가 단위 셀을 이루는 구조를 가진 것이 특징이다.<>▲