00000nz  a2200000n  4500
001  KSH2004031948
005  20040906135546
008  040906 n azknn|abn          |a a|a    | 
150  ▼a공핍층 광 다이오드[空乏層光--]▲
450  ▼wr▼i영어▼adepletion layer photodiode     ▲
550  ▼wg▼a광 다이오드[光--]▲
550  ▼wh▼a핀 광 다이오드[--光--]▲
550  ▼a공핍층[空乏層]▲
680  ▼i광 다이오드의 한 가지. 광 다이오드는 크게 공핍층 광 다이오드와 애벌란시 광 다이오드(APD)로 분류된다. 일반적인 형태의 공핍층 광 다이오드는 절연 파괴 전압(breakdown voltage) 이하에서 작동하는 역방향 바이어스 p-n 접합으로 구성된다. 적당한 주파수의 전자(電磁) 방사에 노출되면 광전도성의 결과로 과잉 전하 반송파(excess charge carrier)가 생성된다. 이 반송파는 전자-정공 페어(electron-hole pair)의 형태인데 일반적으로 아주 신속하게 재결합된다. 그러나 p-n 접합에 존재하는 공핍층 내에서나 가까이에서 생성된 반송파는 접합을 건너감으로써 광전류를 생성한다. 공핍층 광 다이오드 중에서 가장 일반적인 것은 핀 광 다이오드이다.▲