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노재상 사진 없음
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노재상
KAC201721684
생몰년 1956-
출생지-
직업교수
ISNI 0000 0004 6090 6234
관련지역한국
관련언어한국어;영어
관련단체 [前]홍익대학교 신소재공학과 (교수)
다른이름Ro, Jaesang;Ro, Jae-sang;로재상

마지막 수정일 : 2021-09-27

검색제한
발행년도 (4)
발행년도 (4)
1981-1990(1) 1991-2000(15) 2001-2010(4) 2011-2020(4)
분야 (4)
분야 (4)
기술과학(19) 기타(3) 순수과학(1) 예술(1)
언어 (3)
언어 (3)
English(4) Korean(19) 언어불명(1)
저자 작품
번호 제목 저자 발행년도 발행처
창작물
번호 1
제목 Microstructure and mechanism of gold films grown by ion beam induced deposition
저자 Jae-Sang Ro
발행년도 1991
발행처 MIT
번호 2
제목 3 MeV <TEX>$$ P^+$$</TEX>이온주입된 실리콘의 열처리에 따른 X-ray Rocking Curve 분석
저자 조남훈 장기완 김창수 이정용 노재상
발행년도 1995
발행처 韓國眞空學會
번호 3
제목 MeV S<TEX>$$i^+$$</TEX> 자기 이온주입된 단결정 silicon내의 결함 거동
저자 許太薰 盧在相
발행년도 1996
발행처 弘益大學校 出版部
번호 4
제목 초저에너지 이온주입에 의한 초저접합 형성시 발생하는 deactivation 현상에 관한 연구
저자 柳漢權 盧在相
발행년도 2000
발행처 弘益大學校 出版部
번호 5
제목 MeV이온주입을 사용하여 buried layer를 포함한 CMOS retrograde well 제조시 발생하는 격자 결함에 관한 연구
저자 柳漢權 柳承翰 盧在相
발행년도 1999
발행처 弘益大學校 出版部
번호 6
제목 MeV 이온주입에 의한 Gettering 연구
저자 盧在相
발행년도 1997
발행처 弘益大學校 出版部
번호 7
제목 Czochralski 법으로 성장시킨 단결정 실리콘 웨이퍼의 internal gettering 시 denuded zone 및 BMD 형성에 관한 연구
저자 許太薰 柳漢權 金絃洙 盧在相
발행년도 2000
발행처 대한금속.재료학회
번호 8
제목 LPCVD법으로 증착된 비정질 씰리콘 박막의 저온 열처리 및 이온주입이 고상결정화에 미치는 효과에 관한 연구
저자 최진호 노재상
발행년도 1995
발행처 弘益大學校 出版部
번호 9
제목 핵생성 계면 제어에 의한 LPCVD 비정질 실리콘 박막의 고상 결정화를 이용한 조대한 다결정 실리콘 박막의 제조
저자 盧在相
발행년도 1998
발행처 弘益大學校 出版部
번호 10
제목 핵생성 계면 제어에 의한 LPCVD 비정질 Si 박막의 고상결정화
저자 黃義勳 鄭世鎭 文勇升 金龍秀 盧在相
발행년도 2000
발행처 대한금속.재료학회
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