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정동근 사진 없음
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정동근(鄭東根)
KAC201805396
생몰년 1965-
출생지-
직업교수
ISNI 0000 0004 6437 6584
관련지역한국
관련언어한국어
관련단체 성균관대학교 물리학과 (교수)
다른이름Jung, Donggeun

마지막 수정일 : 2020-05-12

검색제한
발행년도 (3)
발행년도 (3)
1991-2000(9) 2001-2010(4) 2011-2020(11)
분야 (3)
분야 (3)
기술과학(14) 기타(8) 순수과학(2)
언어 (3)
언어 (3)
English(5) Korean(18) 언어불명(1)
저자 작품
번호 제목 저자 발행년도 발행처
창작물
번호 1
제목 Al/TiO₂-SiO₂/Mo 구조를 가진 Antifuse의 전기적 특성 분석
저자 홍성훈 노용한 배근학 정동근
발행년도 2000
발행처 韓國眞空學會
번호 2
제목 Pulsed laser deposition (PLD)법으로 증착된 BaTiO₃/SrTiO₃ 산화물 초격자의 성장 및 유전특성
저자 김주호 김이준 정동근 김용성 이재찬
발행년도 2002
발행처 韓國眞空學會
번호 3
제목 열화학기상증착법
저자 정동근
발행년도 2000
발행처 한국요업학회
번호 4
제목 반도체 다층배선의 층간 절연막으로서의 플라즈마 중합 유기박막
저자 정동근
발행년도 2001
발행처 한국요업학회
번호 5
제목 Visible photoluminescence from hydrogenated amorphous silicon thin films deposited on silicon substrates by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition
저자 C.M. Shim D. Jung J.H. Lee
발행년도 1998
발행처 韓國材料學會
번호 6
제목 밴드 불연속이 <TEX>$$p^+$$</TEX>-A<TEX>$$l_{0.36}$$</TEX>G<TEX>$$a_{0.64}$$</TEX>As/<TEX>$$n^+$$</TEX>-G<TEX>$$a_{0.51}$$</TEX>I<TEX>$$n_{0.49}$$</TEX>P 이종접합 터널 다이오드의 터널 전류 밀도에 미치는 영향
저자 정동근
발행년도 1996
발행처 成均館大學校 基礎科學硏究所
번호 7
제목 High indium incorporation in the growth of InGaAs on (100) GaAs by precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition
저자 D. Jung
발행년도 1996
발행처 韓國眞空學會
번호 8
제목 Effect of the band discontinuity on the tunnel current density across the <TEX>$$p^+$$</TEX> -A<TEX>$$l_{0.36}$$</TEX>G<TEX>$$a_{0.64}$$</TEX>As/<TEX>$$n^+$$</TEX> -G<TEX>$$a_{0.51}$$</TEX>I<TEX>$$n_{0.49}$$</TEX>P heterojunction tunnel diode
저자 Jung, Dong-geun
발행년도 1996
발행처 成均館大學敎 基礎科學硏究所
번호 9
제목 절연체 (CeO₂/Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구
저자 양지훈 문병식 김관표 김종걸 정동근 노용한 박종윤
발행년도 1999
발행처 韓國眞空學會
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