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배성범 사진 없음
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배성범(裵城範)
KAC201863163
생몰년 1974-
출생지-
직업연구원
ISNI 0000 0004 6789 5144
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관련단체 한국전자통신연구원 (책임연구원)
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저자 작품
번호 제목 저자 발행년도 발행처
창작물
번호 1
제목 Simple passivation technology by thermal oxidation of aluminum for AlGaN/GaN HEMTs
저자 김정진[1985-] 안호균[1972-] 배성범[1974-] 문재경[1966-] 박영락[1986-] 임종원 민병규[1969-] 윤형섭[1957-] 양전욱[1958-]
발행년도 20120820
발행처 서울 : 한국진공학회, 20120820
번호 2
제목 에너지절감 차세대 GaN 반도체 소자
저자 문재경[1966-] 배성범[1974-] 안호균[1972-] 고상춘[1969-] 남은수
발행년도 20120208
발행처 서울 : 한국진공학회, 20120208
번호 3
제목 질화붕소 분리층과 소자 전사 기술을 이용한 다목적 초고주파 소자 개발 = Development of extremely high RF multi-purpose device using boron nitride release layer and device transfer technique
저자 한국전자통신연구원 [편] 장성재 선임연구원 윤형섭 책임연구원 배성범 책임연구원[1974-] 조규준 연구원
발행년도 201901
발행처 [대전] : 한국전자통신연구원, 201901
번호 4
제목 질화붕소 분리층과 소자 전사 기술을 이용한 다목적 초고주파 소자 개발 = Development of extremely high RF multi-purpose device using boron nitride release layer and device transfer technique
저자 장성재 연구책임자 윤형섭[1957-] 연구참여자 배성범[1974-] 연구참여자 조규준 연구참여자
발행년도 202001
발행처 [대전] : ETRI(한국전자통신연구원), 202001
번호 5
제목 Al의 열산화 방법을 이용한 AlGaN/GaN 구조의 표면 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 패시베이션 효과 = Effect of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> surface passivation by Thermal oxidation of aluminum for AIGaN/GaN structure
저자 김정진[1985-] 안호균[1972-] 배성범[1974-] 박영락[1986-] 임종원 문재경[1966-] 고상춘[1969-] 심규환[1961-] 양전욱[1958-]
발행년도 201211
발행처 서울 : 한국전기전자재료학회, 201211
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