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저압 유기금속기상 성장법에 의한 AlGaAs / GaAs 양자 우물에 델타 도우핑된 채널 FET 특성 = Characteristics of AlGaAs / GaAs quantum-well delta-doped channel FET's by low pressure metalorganic chemical vapor deposition
표제/저자사항 저압 유기금속기상 성장법에 의한 AlGaAs / GaAs 양자 우물에 델타 도우핑된 채널 FET 특성 = Characteristics of AlGaAs / GaAs quantum-well delta-doped channel FET's by low pressure metalorganic chemical vapor deposition / 張景植鄭東皓李正守丁潤夏
형태사항 p. 33-37: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌.A. 大韓電子工學會. 29卷 4號(1992년 4월), p. 33-37 29:4<33 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 장경식, 정회원, 포항공과대학 전자전기공학과
저자: 정동호, 정회원, 포항공과대학 전자전기공학과
저자: 이정수, 준회원, 포항공과대학 전자전기공학과
저자: 정윤하, 정회원, 포항공과대학 전자전기공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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