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0.3 um급 inverse-T gate 모스와 LDD 모스의 전류구동력 및 신뢰성 특성 비교 = Characterization of current drivability and reliability of 0.3 um inverse T-gate MOS compared with those of conventional LDD MOS
표제/저자사항 0.3 um급 inverse-T gate 모스와 LDD 모스의 전류구동력 및 신뢰성 특성 비교 = Characterization of current drivability and reliability of 0.3 um inverse T-gate MOS compared with those of conventional LDD MOS / 尹昌周, 金千洙, 李鎭浩, 金大容, 李振孝
형태사항 p. 72-80: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌.A. 大韓電子工學會. 30卷 8號(1993년 8월), p. 72-80 30:8<72 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 윤창주, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조
저자: 김천수, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조
저자: 이진호, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조
저자: 김대용, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조
저자: 이진효, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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