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저압 유기금속 화학증착법을 이용한 InP 기판에 격자 일치된 I$$ n_0.53$$< / TEX>G$$ a_0.47$$< / TEX>As 에피층의 성장 = Growth of I$$ n_0.53$$< / TEX>G$$ a_0.47$$< / TEX>As Iattice matched to Inp substrate by low pressure metalorganic chemical vapor deposition / 박형수, 문영부
표제/저자사항 저압 유기금속 화학증착법을 이용한 InP 기판에 격자 일치된 I$$ n_0.53$$< / TEX>G$$ a_0.47$$< / TEX>As 에피층의 성장 = Growth of I$$ n_0.53$$< / TEX>G$$ a_0.47$$< / TEX>As Iattice matched to Inp substrate by low pressure metalorganic chemical vapor deposition / 박형수, 문영부 / 윤의준, 조학동, 강태원
형태사항 p. 206-212: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 5권 3호(1996년 9월), p. 206-212 5:3<206 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 박형수, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소
저자: 문영부, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소
저자: 윤의준, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소
저자: 조학동, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소
저자: 강태원, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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