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High indium incorporation in the growth of InGaAs on (100) GaAs by precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition = Precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition에 의한 (100) GaAs 기판위로의 InGaAs 성장시의 높은 indium 유입
표제/저자사항
High indium incorporation in the growth of InGaAs on (100) GaAs by precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition = Precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition에 의한 (100) GaAs 기판위로의 InGaAs 성장시의 높은 indium 유입 / D. Jung
형태사항
p. 354-358: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 5권 4호(1996년 12월), p. 354-358 5:4<354 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: D. Jung, Department of Physics, Sung Kyun Kwan University
저자: D. Jung, Department of Physics, Sung Kyun Kwan University
출처
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MARC 보기
001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
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