기사
High indium incorporation in the growth of InGaAs on (100) GaAs by precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition = Precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition에 의한 (100) GaAs 기판위로의 InGaAs 성장시의 높은 indium 유입
표제/저자사항 High indium incorporation in the growth of InGaAs on (100) GaAs by precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition = Precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition에 의한 (100) GaAs 기판위로의 InGaAs 성장시의 높은 indium 유입 / D. Jung
형태사항 p. 354-358: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 5권 4호(1996년 12월), p. 354-358 5:4<354 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: D. Jung, Department of Physics, Sung Kyun Kwan University
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로