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Chloride VPE 법에 의한 메사 구조위에 InP 전류 차단막의 선택적 재성장 = Selective regrowth of InP current blocking layer by chloride vapor phase epitaxy on mesa structures
표제/저자사항 Chloride VPE 법에 의한 메사 구조위에 InP 전류 차단막의 선택적 재성장 = Selective regrowth of InP current blocking layer by chloride vapor phase epitaxy on mesa structures / 장영근, 김현수, 최훈상, 오대곤, 최인훈
형태사항 p. 207-212: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 8권 3(1)호(1999년 8월), p. 207-212 8:3(1)<207 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 장영근, 고려대학교 재료공학과
저자: 김현수, 고려대학교 재료공학과
저자: 최훈상, 고려대학교 재료공학과
저자: 오대곤, 한국전자통신연구원 원천기술연구본부 광원소재팀
저자: 최인훈, 고려대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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