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절연체 (CeO₂ / Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구 = Epitaxial growth of silicon thin films on insulating (CeO₂ / Si) substrates
표제/저자사항 절연체 (CeO₂ / Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구 = Epitaxial growth of silicon thin films on insulating (CeO₂ / Si) substrates / 양지훈, 문병식, 김관표, 김종걸, 정동근, 노용한, 박종윤
형태사항 p. 322-326: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 8권 3(2)호(1999년 8월), p. 322-326 8:3(2)<322 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 양지훈, 성균관대학교 물리학과
저자: 문병식, 성균관대학교 물리학과
저자: 김관표, 성균관대학교 물리학과
저자: 김종걸, 성균관대학교 물리학과
저자: 정동근, 성균관대학교 물리학과
저자: 노용한, 성균관대학교 물리학과
저자: 박종윤, 성균관대학교 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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