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Impurity-free vacancy diffusion 방법을 이용하여 압축 응력을 가진 InGaAs / InGaAsP 다중양자우물 구조의 무질서화 = Quantum well intermixing of compressively strained InGaAs / InGaAsP multiple quantum well structure by using impurity-free vacancy diffusion technique
표제/저자사항 Impurity-free vacancy diffusion 방법을 이용하여 압축 응력을 가진 InGaAs / InGaAsP 다중양자우물 구조의 무질서화 = Quantum well intermixing of compressively strained InGaAs / InGaAsP multiple quantum well structure by using impurity-free vacancy diffusion technique / 김현수, 박정우, 오대곤, 최인훈
형태사항 p. 150-154: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 9권 2호(2000년 5월), p. 150-154 9:2<150 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 김현수, 고려대학교 재료공학과
저자: 방정우, 서울대학교 전자공학과
저자: 오대곤, 한국전자통신연구원 원천기술본부
저자: 최인훈, 고려대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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