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MOCVD Bi₄Ti₃$$ O_{12}$$< / TEX> 박막의 실리콘 위에서의 증착기구 및 유기 금속원료의 펄스주입법에 의한 박막 특성 개선 = Deposition mechanism of Bi₄Ti₃$$ O_{12}$$< / TEX> films on Si by MOCVD and property improvement by pulse injection method
표제/저자사항 MOCVD Bi₄Ti₃$$ O_{12}$$< / TEX> 박막의 실리콘 위에서의 증착기구 및 유기 금속원료의 펄스주입법에 의한 박막 특성 개선 = Deposition mechanism of Bi₄Ti₃$$ O_{12}$$< / TEX> films on Si by MOCVD and property improvement by pulse injection method / 이석규, 김준형, 최두현, 황민욱, 엄명윤, 김윤해, 김진용, 김형준
형태사항 p. 373-378: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 9권 4호(2000년 12월), p. 373-378 9:4<373 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 이석규, 서울대학교 재료공학부
저자: 김준형, 서울대학교 재료공학부
저자: 최두현, 서울대학교 재료공학부
저자: 황민욱, 서울대학교 재료공학부
저자: 엄명윤, 서울대학교 재료공학부
저자: 김윤해, 서울대학교 재료공학부
저자: 김진용, 서울대학교 재료공학부
저자: 김형준, 서울대학교 재료공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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