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Trimethyl-indium 소스 고갈에 따른 InGaAsP 에피층의 특성 변화 = Effect of trimethyl-indium source depletion on InGaAsP epilayer grown by MOCVD
표제/저자사항
Trimethyl-indium 소스 고갈에 따른 InGaAsP 에피층의 특성 변화 = Effect of trimethyl-indium source depletion on InGaAsP epilayer grown by MOCVD / 김현수, 오대곤, 편광의, 최인훈
형태사항
p. 400-405: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 9권 4호(2000년 12월), p. 400-405 9:4<400 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 김현수, 고려대학교 재료공학과
저자: 오대곤, 한국전자통신연구원 정보통신원천기술연구소
저자: 편광의, 한국전자통신연구원 정보통신원천기술연구소
저자: 최인훈, 고려대학교 재료공학과
저자: 김현수, 고려대학교 재료공학과
저자: 오대곤, 한국전자통신연구원 정보통신원천기술연구소
저자: 편광의, 한국전자통신연구원 정보통신원천기술연구소
저자: 최인훈, 고려대학교 재료공학과
출처
국립중앙도서관 바로가기
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001KMO201509136
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008150107s2001 gak 100 kor
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
