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MBE법으로 GaAs(211)B 기판 위에 성장된 H$$g_{0.7}$$< / TEX>C$$d_{0.3}$$< / TEX>Te 박막의 Hg / Te flux ratio에 따른 특성 연구
표제/저자사항 MBE법으로 GaAs(211)B 기판 위에 성장된 H$$g_{0.7}$$< / TEX>C$$d_{0.3}$$< / TEX>Te 박막의 Hg / Te flux ratio에 따른 특성 연구 / 류영선, 허유범, 강태원, 한명수
형태사항 p. 7-11: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료. 한국전기전자재료학회. Vol.15 no.10(2002년 10월), p. 7-11 15:10<7 상세보기 ISSN 1226-7937
저자: 류영선, 동국대 물리학과 박사과정
저자: 허유범, 동국대 물리학과 박사과정
저자: 강태원, 동국대 양자기능반도체연구센터 소장
저자: 한명수, (주)케이이씨 종합연구소 선임연구원
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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