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Latchup이 발생하지 않는 trench-isolated CBiCMOS 소자의 설계 = (A)design of latchup-free trench-isolated CBiCMOS devices
표제/저자사항 Latchup이 발생하지 않는 trench-isolated CBiCMOS 소자의 설계 = (A)design of latchup-free trench-isolated CBiCMOS devices / 송인채
형태사항 p. 8-16: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 論文集-崇實大學校 生産技術硏究所. 崇實大學校 生産技術硏究所. 28輯(1998), p. 8-16 28<8 상세보기
저자: 송인채, 숭실대학교 정보통신전자공학부 부교수
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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