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대구경 규소 Czochralski 단결정 속의 결정 결함 규명 = Characterization of the grown-in defects in the large diameter silicon crystal grown by czochralski method
표제/저자사항 대구경 규소 Czochralski 단결정 속의 결정 결함 규명 = Characterization of the grown-in defects in the large diameter silicon crystal grown by czochralski method / 이보영, 김영관
형태사항 p. 11-18; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 6권 1호(1996년 3월), p. 11-18 6:1<11 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 이보영, (주)SILTRON
저자: 김영관, 인천대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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