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PZT 박막제조시 하부전극과 buffer층에 따른 박막특성에 관한 연구 = Characteristics of PZT thin films with varying the bottom-electrodes and buffer layer
표제/저자사항 PZT 박막제조시 하부전극과 buffer층에 따른 박막특성에 관한 연구 = Characteristics of PZT thin films with varying the bottom-electrodes and buffer layer / 이희수, 오근호
형태사항 p. 177-184; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 6권 2호(1996년 5월), p. 177-184 6:2<177 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 이희수, 한양대학교 무기재료공학과
저자: 오근호, 한양대학교 무기재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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