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실리콘 단결정에서 산화적층결함의 핵생성에 미치는 냉각속도의 영향 = (The)effect of cooling rate on the nuclei of OISF formation in Si single crystals
표제/저자사항
실리콘 단결정에서 산화적층결함의 핵생성에 미치는 냉각속도의 영향 = (The)effect of cooling rate on the nuclei of OISF formation in Si single crystals / 하태석, 김병국, 김영관, 윤종규
형태사항
p. 360-367; 29 cm
주기사항
수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 6권 3호(1996년 8월), p. 360-367 6:3<360 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 하태석, 서울대학교 금속공학과
저자: 김병국, 서울대학교 금속공학과
저자: 김영관, 인천대학교 재료공학과
저자: 윤종규, 서울대학교 금속공학과
저자: 하태석, 서울대학교 금속공학과
저자: 김병국, 서울대학교 금속공학과
저자: 김영관, 인천대학교 재료공학과
저자: 윤종규, 서울대학교 금속공학과
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
00520150303111639
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
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710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
