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Reactive sputtering법에 의한 PZT 박막 증착후 냉각시 산소분압의 영향에 관한 연구 = Effects of changing the oxygen partical pressure in cooling after deposition of PZT thin films by reactive sputtering
표제/저자사항 Reactive sputtering법에 의한 PZT 박막 증착후 냉각시 산소분압의 영향에 관한 연구 = Effects of changing the oxygen partical pressure in cooling after deposition of PZT thin films by reactive sputtering / 이희수, 오근호
형태사항 p. 406-414; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 6권 3호(1996년 8월), p. 406-414 6:3<406 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 이희수, 한양대학교 무기재료공학과
저자: 오근호, 한양대학교 무기재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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