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MeV이온주입을 사용하여 buried layer를 포함한 CMOS retrograde well 제조시 발생하는 격자 결함에 관한 연구 = Study on the defects in the fabrication of CMOS retrograde well including a buried layer using MeV ion implantation
표제/저자사항
MeV이온주입을 사용하여 buried layer를 포함한 CMOS retrograde well 제조시 발생하는 격자 결함에 관한 연구 = Study on the defects in the fabrication of CMOS retrograde well including a buried layer using MeV ion implantation / 柳漢權, 柳承翰, 盧在相
형태사항
p. 825-836; 26 cm
주기사항
수록자료: 科學技術硏究 論文集-弘益大學校. 弘益大學校 出版部. 제9집 B(1999년 2월), p. 825-836 9:2<825 상세보기
저자: 유한권, 홍익대학교 공과대학 금속ㆍ재료공학과 석사과정
저자: 유승한, 홍익대학교 공과대학 금속ㆍ재료공학과 석사과정
저자: 노재상, 홍익대학교 공과대학 금속ㆍ재료공학과 부교수
저자: 유한권, 홍익대학교 공과대학 금속ㆍ재료공학과 석사과정
저자: 유승한, 홍익대학교 공과대학 금속ㆍ재료공학과 석사과정
저자: 노재상, 홍익대학교 공과대학 금속ㆍ재료공학과 부교수
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
