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스케일링이 가능한 AlGaN / GaN HEMT 소자의 열 모델에 관한 연구 = Scalable AlGaN / GaN HEMT's model including thermal effect
표제/저자사항 스케일링이 가능한 AlGaN / GaN HEMT 소자의 열 모델에 관한 연구 = Scalable AlGaN / GaN HEMT's model including thermal effect / 김동기, 김성호, 오재응, 권영우
형태사항 p. 705-711; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國電磁波學會論文誌. 韓國電磁波學會. 14권 7호(2003년 7월), p. 705-711 14:7<705 상세보기 ISSN 1226-3133
저자: 김동기, 서울대학교 전기컴퓨터공학부
저자: 김성호, LG전자 CDMA 단말 연구소
저자: 오재응, 한양대학교 전자컴퓨터공학부
저자: 권영우, 서울대학교 전기컴퓨터공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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