기사
텅스텐 슬러리를 사용한 Cu-CMP 특성에서 산화제 첨가의 영향 = Effects of oxidizer additive on the performance of copper-chemical mechanical polishing using tungsten slurry
표제/저자사항 텅스텐 슬러리를 사용한 Cu-CMP 특성에서 산화제 첨가의 영향 = Effects of oxidizer additive on the performance of copper-chemical mechanical polishing using tungsten slurry / 이우선, 최권우, 이영식, 최연옥, 오용택, 서용진
형태사항 p. 156-161; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회 논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.17 no.2(2004년 2월), p. 156-161 17:2<156 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 이우선, 조선대학교 전기공학과
저자: 최권우, 조선대학교 전기공학과
저자: 이영식, 조선대학교 전기공학과
저자: 최연옥, 조선대학교 전기공학과
저자: 오용택, 조선대학교 전기공학과
저자: 서용진, 대불대학교 전기전자공학과 E-MAIL: syj@daebul.ac.kr
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로