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MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과 = Effects of growth temperatures on properties of InAlAs epilayers grown on InP substrate by molecular beam epitaxy
표제/저자사항 MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과 = Effects of growth temperatures on properties of InAlAs epilayers grown on InP substrate by molecular beam epitaxy / 우용득, 김문덕
형태사항 p. 251-256; 26 cm
주기사항 수록자료: 한국진공학회지. 韓國眞空學會. 12권 4호(2003년 12월), p. 251-256 12:4<251 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 우용득, 우석대학교 반도체과학과 E-MAIL: wooyongd@woosuk.ac.kr
저자: 김문덕, 충남대학교 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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