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금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구 = (The)growth and characterization of GaN films by direct reaction of Ga and NH₃
표제/저자사항 금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구 = (The)growth and characterization of GaN films by direct reaction of Ga and NH₃ / 양승현, 남기석, 임기영, 양영석
형태사항 p. 241-245 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 10권 3호(2000년 3월), p. 241-245 10:3<241 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 양승현, 전북대학교 화학공학부
저자: 남기석, 전북대학교 화학공학부 E-MAIL: nahmks@moak.chonbuk.ac.kr
저자: 임기영, 전북대학교 과학기술학부
저자: 양영석, 우석대학교 화학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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