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금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구 = (The)growth and characterization of GaN films by direct reaction of Ga and NH₃
표제/저자사항
금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구 = (The)growth and characterization of GaN films by direct reaction of Ga and NH₃ / 양승현, 남기석, 임기영, 양영석
형태사항
p. 241-245 ; 30 cm
주기사항
수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 10권 3호(2000년 3월), p. 241-245 10:3<241 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 양승현, 전북대학교 화학공학부
저자: 남기석, 전북대학교 화학공학부 E-MAIL: nahmks@moak.chonbuk.ac.kr
저자: 임기영, 전북대학교 과학기술학부
저자: 양영석, 우석대학교 화학과
저자: 양승현, 전북대학교 화학공학부
저자: 남기석, 전북대학교 화학공학부 E-MAIL: nahmks@moak.chonbuk.ac.kr
저자: 임기영, 전북대학교 과학기술학부
저자: 양영석, 우석대학교 화학과
출처
국립중앙도서관 바로가기
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001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
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500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)