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선택적 결정화를 통한 채널에 비정질 영역을 갖는 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 = New poly-Si thin film transistors employing a-Si channel region by selective recrystallization
표제/저자사항 선택적 결정화를 통한 채널에 비정질 영역을 갖는 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 = New poly-Si thin film transistors employing a-Si channel region by selective recrystallization / 全宰弘, 朴喆民, 金天弘, 韓民九
형태사항 p. 1615-1618 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 전기학회논문지. 대한전기학회. 46卷 11號(1997년 11월), p. 1615-1618 46:11<1615 상세보기 ISSN 0254-4172
저자: 전재홍, 정회원, 서울대 대학원 전기공학부 박사과정
저자: 박철민, 정회원, 서울대 대학원 전기공학부 박사과정
저자: 김천홍, 정회원, 서울대 대학원 전기공학부 석사과정
저자: 한민구, 정회원, 서울대 공대 전기공학부 교수, 공박
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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