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P형 4H-SiC 기판에 형성된 ZnO 박막/나노선 가스 센서의 300℃에서 CO 가스 감지 특성 = CO gas sensing characteristic of ZnO thin film/nanowire based on p-type 4H-SiC substrate at 300℃
표제/저자사항
P형 4H-SiC 기판에 형성된 ZnO 박막/나노선 가스 센서의 300℃에서 CO 가스 감지 특성 = CO gas sensing characteristic of ZnO thin film/nanowire based on p-type 4H-SiC substrate at 300℃ / Ik-Ju Kim Byung-Hoon Oh Jung-Ho Lee Sang-Mo Koo
발행사항
서울 : 한국전기전자재료학회, 2012
형태사항
주기사항
수록자료: 전기전자재료학회논문지 제25권 제2호 (201202--), p. 91-95 ISSN 1226-7945
표준번호/부호
UCI G701:C-00060401700
분류기호
한국십진분류법-> 561.805
출처
국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
