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Al의 열산화 방법을 이용한 AlGaN/GaN 구조의 표면 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 패시베이션 효과 = Effect of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> surface passivation by Thermal oxidation of aluminum for AIGaN/GaN structure
표제/저자사항
Al의 열산화 방법을 이용한 AlGaN/GaN 구조의 표면 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 패시베이션 효과 = Effect of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> surface passivation by Thermal oxidation of aluminum for AIGaN/GaN structure / Jeong-Jin Kim Ho-Kyun Ahn Seong-Bum Bae Young-Rak Pak Jong-Won Lim Jae-Kyung Moon Sang-Chun Ko Kyu-Hwan Shim Jeon-Wook Yang
발행사항
서울 : 한국전기전자재료학회, 2012
형태사항
주기사항
수록자료: 전기전자재료학회논문지 제25권 제11호 (201211--), p. 862-866 ISSN 1226-7945
표준번호/부호
UCI G701:C-00060401859
분류기호
한국십진분류법-> 561.805
출처
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
