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HVPE 법을 통한 GaN 성장 시 기판 종류 및 V/III 비에 따른 잔류 stress 특성 연구 = Study on residual stress characteristics according to the substrate type and V/III ratio during GaN growth by HVPE
표제/저자사항
HVPE 법을 통한 GaN 성장 시 기판 종류 및 V/III 비에 따른 잔류 stress 특성 연구 = Study on residual stress characteristics according to the substrate type and V/III ratio during GaN growth by HVPE / 이주형 이승훈 이희애 강효상 오누리 이성철 [1958-] 이성국 박재화
발행사항
서울 : 한국결정성장학회, 2020
형태사항
주기사항
한국연구재단 제공 KCI 등재(후보)학술지임
서지: 참고문헌: p. 45-46
언어: 영어 요약 있음
수록자료: 한국결정성장학회지 30권 2호 (2020년 4월) p. 41-46 ISSN 1225-1429
서지: 참고문헌: p. 45-46
언어: 영어 요약 있음
수록자료: 한국결정성장학회지 30권 2호 (2020년 4월) p. 41-46 ISSN 1225-1429
표준번호/부호
DOI http://doi.org/10.6111/JKCGCT.2020.30.2.041
출처
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