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고속중성자 이용 반도체 성능 개선 기술개발 = Development of fast neutron irradiation technology for improving performance of power semiconductor
표제/저자사항 고속중성자 이용 반도체 성능 개선 기술개발 = Development of fast neutron irradiation technology for improving performance of power semiconductor / 한국원자력연구원 주관연구기관명지대학교 협동연구기관선광민 [1972-] 주관연구책임자김지석 연구원안성호 연구원백하니 [1988-] 연구원진성복 연구원진미은 [1989-] 연구원김선하 연구원이기만 연구원신찬선 [1974-] 협동연구책임자
발행사항 [과천] : 미래창조과학부, 2016
형태사항 PDFviii, 83 p.
총서사항 (원자력기술개발사업)
주기사항 서지: 참고문헌: p. 82-83
언어: 영어 요약 있음
과제고유번호: 53516-15
국가연구개발 보고서원문 성과물 전담기관인 한국과학기술정보연구원에서 가공·서비스 하는 연구보고서는 동의 없이 상업적 및 기타 영리목적으로 사용할 수 없습니다.
표준번호/부호 COI  KISTI2.1015/RPT.TRKO201800003802
DOI  10.23000/TRKO201800003802
분류기호 한국십진분류법-> 431.477
주제명 열중성자[熱中性子]   반도체[半導體]   
출처 국립중앙도서관 바로가기
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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