학위논문
Performance of Hf-based high-k dielectrics and stacked gate oxides for metal-oxide-semiconductor field effect transistor = MOSFET device의 응용을 위한 Hf 기반의 고유전체 및 다층 구조 게이트 절연막에 대한 전기 및 유전 특성 연구
표제/저자사항 Performance of Hf-based high-k dielectrics and stacked gate oxides for metal-oxide-semiconductor field effect transistor = MOSFET device의 응용을 위한 Hf 기반의 고유전체 및 다층 구조 게이트 절연막에 대한 전기 및 유전 특성 연구 / Wonjoon Choi
발행사항 서울: 한양대학교, 2007
형태사항 viii, 102 leaves: ill., charts; 26 cm
주기사항 Thesis(Ph.D.) -- Graduate School, Hanyang Univ., Dept. of Physics, 2007.
Includes bibliographies.
분류기호 한국십진분류법-> 427.62듀이십진분류법-> 537.622
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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