학위논문
Mo기판위에서 Si의 화학증착에 의해 형성된 MoSi₂확산층의 성장기구 = Growth mechanism of MoSi₂diffusion layer formed by chemical vapor deposition of silicon on molybdenum substrate
표제/저자사항 Mo기판위에서 Si의 화학증착에 의해 형성된 MoSi₂확산층의 성장기구 = Growth mechanism of MoSi₂diffusion layer formed by chemical vapor deposition of silicon on molybdenum substrate / 윤진국
발행사항 서울: 연세대학교, 1999
형태사항 xx,198장: 삽도,도판; 26cm
주기사항 학위논문(박사) -- 연세대학교 대학원: 금속공학과, 1999
분류기호 한국십진분류법-> 559.77듀이십진분류법-> 669.7
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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