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DLTS에 의한 열처리시킨 HB-GaAs에서의 깊은준위 = Deep levels in thermal annealed HB-GaAs by DLTS
표제/저자사항 DLTS에 의한 열처리시킨 HB-GaAs에서의 깊은준위 = Deep levels in thermal annealed HB-GaAs by DLTS / 崔玄泰, 金仁洙, 金相基, 孫貞植, 裵仁鎬
형태사항 p. 93-101: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 基礎科學硏究-嶺南大學校 基礎科學硏究所. 嶺南大學校 基礎科學硏究所. 13卷(1993년), p. 93-101 13<93 상세보기
저자: 최현태, 이과대학 물리학과
저자: 김인수, 이과대학 물리학과
저자: 김상기, 이과대학 물리학과
저자: 손정식, 이과대학 물리학과
저자: 배인호, 한국 전자통신 연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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