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분자선 에피택시법에 의한 GaAs 기판 위의 ZnSSe 성장 및 특성 = Growth and characteristics of ZnSSe on GaAs substrate by molecular beam epitaxy
표제/저자사항 분자선 에피택시법에 의한 GaAs 기판 위의 ZnSSe 성장 및 특성 = Growth and characteristics of ZnSSe on GaAs substrate by molecular beam epitaxy / 손정식, 김인수, 배인호
형태사항 p. 127-133: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 基礎科學硏究-嶺南大學校 基礎科學硏究所. 嶺南大學校 基礎科學硏究所. 17卷(1997년), p. 127-133 17<127 상세보기
저자: 손정식, 영남대학교 이과대학 물리학과
저자: 김인수, 영남대학교 이과대학 물리학과
저자: 배인호, 영남대학교 이과대학 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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