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금속-산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할 = (The)roles of hydrogen and trapped holes in the generation of interface traps in MOS devices
표제/저자사항 금속-산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할 = (The)roles of hydrogen and trapped holes in the generation of interface traps in MOS devices / 노용한
형태사항 p. 253-260: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 成均館大學校論文集. 科學技術篇. 성균관대학교 과학기술연구소. 47집 2호(1996년 10월), p. 253-260 47:2<253 상세보기
저자: 노용한, 성균관대학교 전자공학과 조교수
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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