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측정된 S-파라미터에서 MESFET과 HEMT의 기생 저항을 구하는 새로운 방법 = (A)new method for determination the parasitic extrinsic resistances of MESFETs and HEMTs from the measured S-parameters under active bias
표제/저자사항 측정된 S-파라미터에서 MESFET과 HEMT의 기생 저항을 구하는 새로운 방법 = (A)new method for determination the parasitic extrinsic resistances of MESFETs and HEMTs from the measured S-parameters under active bias / 임종식, 김병성, 남상욱
형태사항 p. 876-885: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國電磁波學會論文誌. 韓國電磁波學會. 11권 6호(2000년 9월), p. 876-885 11:6<876 상세보기 ISSN 1226-3133
저자: 임종식, 서울대학교 전기공학부
저자: 김병성, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부
저자: 남상욱, 서울대학교 전기공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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