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고주파 반응성 스퍼터링에 의해 제작된 InN 박막의 특성 = Characteristics of InN thin films fabricated by RF reactive sputtering
표제/저자사항 고주파 반응성 스퍼터링에 의해 제작된 InN 박막의 특성 = Characteristics of InN thin films fabricated by RF reactive sputtering / 김영호, 최영복, 정성훈, 홍필영, 문동찬, 김선태
형태사항 p. 527-534: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.11 no.7(1998년 7월), p. 527-534 11:7<527 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 김영호, 반도체제조장비국산화연구센터 호서대학교 E-MAIL: rrc@dogsuri.hoseo.ac.kr
저자: 최영복, 광운대학교 전자재료공학과
저자: 정성훈, 광운대학교 전자재료공학과
저자: 홍필영, 광운대학교 전자재료공학과
저자: 문동찬, 광운대학교 전자재료공학과
저자: 김선태, 대전산업대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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