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고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 전기적 특성과 누설전류 특성 = Electrical characteristics and leakage current mechanism of high temperature poly-Si thin film transistors
표제/저자사항 고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 전기적 특성과 누설전류 특성 = Electrical characteristics and leakage current mechanism of high temperature poly-Si thin film transistors / 이현중, 이경택, 박세근, 박우상, 김형준
형태사항 p. 918-923: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.11 no.10(1998년 10월), p. 918-923 11:10<918 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 이현중, 인하대학교 전자재료공학과
저자: 이경택, 해태전자 통신연구3팀
저자: 박세근, 인하대학교 전자재료공학과 E-MAIL: sgpark@inha.ac.kr
저자: 박우상, 인하대학교 전자재료공학과
저자: 김형준, 홍익대학교 금속재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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