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비정질 실리콘에서 인의 도핑과 이온주입에 따른 농도분포에 대한 연구 = (A)study of concentration profiles in amorphous silicon by phosphorus doping and ion implantation
표제/저자사항 비정질 실리콘에서 인의 도핑과 이온주입에 따른 농도분포에 대한 연구 = (A)study of concentration profiles in amorphous silicon by phosphorus doping and ion implantation / 정원채
형태사항 p. 18-26: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.12 no.1(1999년 1월), p. 18-26 12:1<18 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 정원채, 경기대학교 전자공학과 E-MAIL: wcjung@kuic.kyonggi.ac.kr
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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